ESDRAM (Enhanced SDRAM)

Материал из Национальной библиотеки им. Н. Э. Баумана
Последнее изменение этой страницы: 19:28, 6 декабря 2016.

ESDRAM (англ. Enhanced SDRAM — «Расширенное синхронное динамическое ОЗУ») — модуль синхронной динамической памяти с произвольным доступом, который в отличие от обычного SDRAM имеет небольшое статическое запоминающее устройство (SRAM), выполняющее функции кэш-памяти.[1]

Описание архитектуры и принципа работы ESDRAM

Enhanced SDRAM (ESDRAM — улучшенная SDRAM) — более быстрая версия SDRAM, сделанная в соответствии со стандартом JEDEC компанией Enhanced Memory Systems (EMS). С точки зрения времени доступа производительность ESDRAM в два раза выше по сравнению со стандартной SDRAM. Более высокая скорость работы ESDRAM достигается за счет дополнительных функций, которые используются в архитектуре этой памяти. ESDRAM имеет строку кэш-регистров (SRAM), в которых хранятся данные, к которым уже было обращение.

Использование дополнительного кэша позволяет снизить временные задержки и достичь пиковой частоты операций в 200 МГц. Цель такого кэширования хранить данные, к которым происходит частое обращение, и минимизировать обращение к более медленной DRAM. Пропускная способность и скорость работы такой комбинации увеличивается вдвое также за счет того, что при обмене данными между SRAM-кэшем и собственно DRAM может быть использована шина большей ширины, чем между SRAM-кэшем и контроллером DRAM. Наибольшую популярность этот вид развивающейся памяти получил при производстве графических ускорителей.

Увеличение производительности при использовании ESDRAM достигается за счет применения двухбанковой архитектуры, которая состоит из массива SDRAM и SRAM строчных регистров (кэш). Строчные регистры вместе с быстрым массивом SDRAM обеспечивают более быстрый доступ для чтения и записи данных по сравнению со стандартной SDRAM. ESDRAM может работать в режиме "упреждающего обращения" к массиву SDRAM, в результате следующий цикл записи или чтения может начаться в момент, когда выполнение текущего цикла не завершено. Возможность использовать такой режим напрямую зависит от центрального процессора, управляющего работой конвейера адресации.[2]

Чипсеты и ESDRAM

Компания Enhanced Memory Systems предложила Объединенному совету по проектированию электронных устройств (JEDEC) принять технологию усовершенствованной синхронной динамической оперативной памяти (ESDRAM) в качестве расширения стандарта SDRAM так как, ESDRAM полностью совместима со стандартной памятью JEDEC SDRAM на уровне компонентов и модулей, по количеству контактов и функциональности. Однако, чтобы использовать все преимущества этого типа памяти, необходимо использовать специальный контроллер (чипсет).

С точки зрения применения в качестве системной (оперативной) памяти компьютера чипсет VCS-164 (Polaris) компании VLSI Technology поддерживает ESDRAM, правда, этот чипсет рассчитан для применения в системах на базе процессора Digital Alpha. ESDRAM полностью соответствует спецификации Intel PC-100 SDRAM, и соответственно, совместима с чипсетами Intel 440BX и Via Technologies MVP-3.

Время ожидания ESDRAM с частотой регенерации 100 МГц соответствует требованиям спецификации Intel PC-100, определяющей характеристики SDRAM для работы с системами на Pentium II. Соответствующая PC-100 ESDRAM - самый быстрый из всех видов памяти для систем Pentium II.[3]

Выводы

ESDRAM совместима по выводам и функциям со стандартным SDRAM. По сравнению с SDRAM, ESDRAM в два раза сокращает внутреннее время задержки динамической оперативной памяти.

Примечание

  1. Расширение стандарта оперативной памяти ПК : — Режим доступа: http://www.osp.ru
  2. Многообразие типов видеопамяти: — Режим доступа:http://www.ixbt.com/video/newvideomem.html
  3. Разновидности DRAM: — Режим доступа:http://www.tdoc.ru/c/hardware/memory/memory-types-page2.html