BEDO DRAM (Burst Extended Data Output DRAM)

Материал из Национальной библиотеки им. Н. Э. Баумана
Последнее изменение этой страницы: 00:05, 16 декабря 2016.
(перенаправлено с «BEDO RAM (Burst Extended Data Output DRAM)»)
Рис.1 BEDO RAM

BEDO RAM (англ. Burst Extended Data Out Random Access Memory - пакетная EDO RAM, память с усовершенствованным выходом). В принципе BEDO мало, чем отличается от EDO[1].

BEDO RAM, как видно из названия, читает данные в виде пакета, что означает, что после получения адреса каждая из следующих трех единиц информации читается за один цикл таймера, а CPU считывает данные в виде пакета 5-1-1-1. Эта модель RAM в настоящее время поддерживается только чипсетами VIA типа 580VP, 590VP, 680VP.

Добавив в микросхему генератор номера столбца, конструкторы ликвидировали задержку CAS Delay , сократив время цикла до 15 нс и, обеспечив тем самым двукратное увеличение производительности. После обращения к произвольной ячейке микросхема BEDO автоматически, без указаний со стороны контроллера, увеличивает номер столбца на единицу, не требуя его явной передачи. По причине ограниченной разрядности адресного счетчика (конструкторы отвели под него всего лишь два бита) максимальная длина пакета не могла превышать четырех ячеек[2].

Дополнительный пакет регистров обеспечивает быстрый вывод строки из последовательных адресов. Забегая вперед, отметим, что процессоры Intel 80486 и Pentium в силу пакетного режима обмена с памятью никогда не обрабатывают менее четырех смежных ячеек за раз. Поэтому независимо от порядка обращения к данным BEDO всегда работает на максимально возможной скорости и для частоты 66 МГц ее формула выглядит так: 5-1-1-1, что на ~40% быстрее EDO-DRAM.

Все же несмотря на свои скоростные показатели, BEDO оказалась не конкурентоспособной и не получила практически никакого распространения. Просчет состоял в том, что BEDO как и все ее предшественники, оставалась асинхронной памятью. Это накладывало жесткие ограничения на максимально достижимую тактовую частоту, ограниченную 60 - 66 (75) мегагерцами.

Действительно, пусть время рабочего цикла составляет 15 нс. (1 такт в 66 МГц системе). Однако поскольку «часы» контроллера памяти и самой микросхемы памяти не синхронизованы, нет никаких гарантий, что начало рабочего цикла микросхемы памяти совпадет с началом такового импульса контроллера, вследствие чего минимальное время ожидания составляет два такта. Вернее рабочий цикл микросхемы памяти никогда не совпадает с началом тактового импульса. Несколько наносекунд уходит на формирование контроллером управляющего сигнала RAS или CAS, за счет чего он уже не совпадет с началом тактирующего импульса. Еще несколько наносекунд требуется для стабилизации сигнала и обработки его микросхемой, причем, сколько именно времени потребуется заранее определить невозможно, т.к. на результат влияет и температура, и длина проводников, и помехи на линии, и еще множество факторов.

Этот тип памяти поддерживает только один набор системной логики Intel 440FX Nato ma. В настоящее время на смену BEDO пришел новый тип памяти SDRAM. Плюс ко всему для BEDO нужен был специальный контроллер, а материнскую плату менять никто не хотел. Хотя все же BEDO RAM использовалась в системах на базе Pentium Pro[3].

Основным недостатком BEDO RAM также является невозможность работы на частоте шины, превышающей 66 МГц.

Отличие BEDO от EDO

Рис.2 BEDO diagram

Обращение к ВEDO на чтение имеет два отличия от доступа к EDO.

  • Первое из них - это то, что в результате замены защелки регистром (т. е. появления дополнительного звена) в первом цикле CAS данные не попадают на выходы. Преимущество такого внутреннего конвейерного звена состоит в том, что во втором цикле время появления данных после выдачи переднего фронта CAS (т. е. tCAC) будет меньше.
  • Другое отличие состоит в том, что системы BEDO содержат внутренний счетчик адреса, т. е. они получают извне только первый из четырех последовательных адресов. Упрощенная схема работы BEDO и последовательность событий представлены на рисунке. Эти три рисунка иллюстрируют постепенное уменьшение tPC по мере перехода от FPM к EDO и далее к BEDO, а также показывают, что при использовании BEDO DRAM tCAC уменьшается, а tCPA - снижается до нуля. Из рисунка также видно, что в BEDO первый цикл CAS, загружающий внутреннее конвейерное звено, не приводит к задержке при получении первого элемента данных. Это происходит потому, что время доступа к первому элементу данных определяется tRAC (временем доступа по RAS), которое перекрывает первый цикл CAS[4].

Поддержка BEDO RAM

BEDO RAM поддерживался следующими чипсетами:

  • ЧЕРЕЗ Apollo VP
  • OPTi ViperMax
  • PCChips VXPro
  • PCChips VXPro +

Источники

  1. BEDO RAM [Электронный ресурс] : Материал из http://www.vogonswiki.com/: — Режим доступа: http://www.vogonswiki.com/index.php/BEDO_RAM
  2. Оперативная памать [Электронный ресурс] : Материал из http://sd-company.su/: — Режим доступа: http://sd-company.su/article/computers/operativnaya-pamyat
  3. Burst EDO (BEDO) [Электронный ресурс] : Материал из http://www.thg.ru/: — Режим доступа: http://www.thg.ru/mainboard/19981024/ram-06.html
  4. Конкретные системы оперативной памяти [Электронный ресурс] : Материал из http://www.studfiles.ru/: — Режим доступа: http://www.studfiles.ru/preview/3860012/page:14/

Ссылки