Программируемые логические матрицы

Материал из Национальной библиотеки им. Н. Э. Баумана
Последнее изменение этой страницы: 19:41, 31 января 2015.
Рис. 1. Программируемые логические матрицы.

С помощью M1 - получаем ДНФ;

С помощью M3 - получаем функцию в прямом или инверсном значении. 


Процесс програмирования

С помощью M2 либо оставляем связь входа v с выходом &, либо обрываем, т.о. объединяем их друг с другом.


На выход "Y"- почти получаем функцию М3: с помощью e1-e8 значение на выходе повторяется или нет(в зависимости от того, сохраняем потенциал на выходе или нет). При разрушенной перемычке получается "1".

Справедливо для ТТL-логики(вся структура "заточена" под TTL- логику). Основа ТТL-МЭТ(набор узлов)(Если связь с массой оборвана, то это воспринимается как "1")


Рис. 2. Вид перемычки в ПЛМ.

Считается, что микросхема изначально целая, следовательно её надо запрограммировать под нужды пользователя (т.е. изначально все перемычки - целые).

Контроллер делает все "прозрачным" процессора (он и не догадывается откуда считывается сектор и т.д.)

Младшие 9 байт - определяются номером внутри сектора. Остальные байты определяются местоположением на диске.

Увеличивается быстодействие (все работает в ОП, а не на ЖД).

Используется ассоциативность памяти (делаем выборку из общего объема).

Виды памяти (специальные виды памяти ПЗУ)

На ферритовых кольцах

Эту сетку можно скрутить и вставить куда надо

Сетка из тонких проводников на одно ферритово кольцо.

Ферритовое кольцо выступает в роли сердечника простейшего транзистора (если вкл., то "1", иначе пишется "0") .

Этот тип памяти не боится радиации, вибрации - используется в бортовых системах.

Получил развитие в полупроводниковой электрике.

Память на магнитных доменах

Пленка из ферромагнетика; большое количество проводников под прямым углом

Подаем ток выстраивание доменов (по вектору памяти).

Развитие этой технологии залог создания твердотельных хранителей информации.

FeRAM

Pzu 3.png

В зависимости от приложенного напряжения меняется диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика.


Если заряжается по времени менее, чем пороговое хранится "0", иначе хранится "1".

Эта структура не подвержена электромагнитному излучению, радиации - потенциальная замена той, что используется в бортовых системах.

Недостатки

Объем памяти низкий для стандартных размеров RAM, т.к. время доступа равно времени доступа к динамическому ОЗУ.